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FDP6035L

FDP6035L

FDP6035L

N-CHANNEL POWER MOSFET

SOT-23

FDP6035L Technisches Datenblatt

nicht konform

FDP6035L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.75000 $0.75
500 $0.7425 $371.25
1000 $0.735 $735
1500 $0.7275 $1091.25
2000 $0.72 $1440
2500 $0.7125 $1781.25
3250 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 58A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1230 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

PSMN018-100ESFQ
SI2343DS-T1-E3
BSS138BKWT106
RQ5E030RPTL
NVBLS1D7N08H
NVBLS1D7N08H
$0 $/Stück
GKI07113
GKI07113
$0 $/Stück
SQD50034E_GE3

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