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AONR36368

AONR36368

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MOSFET N-CH 30V 23A/32A 8DFN

SOT-23

AONR36368 Technisches Datenblatt

nicht konform

AONR36368 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.17386 $0.17386
500 $0.1721214 $86.0607
1000 $0.1703828 $170.3828
1500 $0.1686442 $252.9663
2000 $0.1669056 $333.8112
2500 $0.165167 $412.9175
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Ta), 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1305 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.1W (Ta), 24W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (3x3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

R6015KNXC7G
SI4894BDY-T1-GE3
IXTA10N60P
IXTA10N60P
$0 $/Stück
G65P06K
G65P06K
$0 $/Stück
MTB10N40ET4
MTB10N40ET4
$0 $/Stück
FDP6035L
PSMN018-100ESFQ

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