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IXTA10N60P

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 10A TO263

IXTA10N60P Technisches Datenblatt

compliant

IXTA10N60P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.34000 $117
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 740mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1610 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

G65P06K
G65P06K
$0 $/Stück
MTB10N40ET4
MTB10N40ET4
$0 $/Stück
FDP6035L
PSMN018-100ESFQ
SI2343DS-T1-E3
BSS138BKWT106
RQ5E030RPTL

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