Welcome to ichome.com!
Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 60 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 6.5A (Ta), 30A (Tc) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 4.5V, 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 24mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 2.8V @ 250µA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 34 nC @ 10 V |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 1900 pF @ 30 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 52W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-251A |
Paket / Koffer | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.