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AOI4130

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MOSFET N-CH 60V 6.5A/30A TO251A

AOI4130 Technisches Datenblatt

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AOI4130 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 24mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1900 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251A
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

IRFR9120NTRL
SI7136DP-T1-GE3
IXTV230N085TS
IXTV230N085TS
$0 $/Stück
IRF7700TR
IRF6616TR1PBF
ZVN3310ASTOB
STP8NM60FP
STP8NM60FP
$0 $/Stück
IRF530S
IRF530S
$0 $/Stück
IRFR214TR
IRFR214TR
$0 $/Stück

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