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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 100 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 200mA (Ta) |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 10V |
rds ein (max) @ id, vgs | 10Ohm @ 500mA, 10V |
vgs(th) (max) @ ID | 2.4V @ 1mA |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | - |
vgs (max) | ±20V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 40 pF @ 25 V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 625mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | E-Line (TO-92 compatible) |
Paket / Koffer | E-Line-3 |
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