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FQA24N50F_F109

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MOSFET N-CH 500V 24A TO3P

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 200mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 290W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-3P
Paket / Koffer TO-3P-3, SC-65-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFR2307ZPBF
FDN338P_G
FDN338P_G
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GA05JT12-247
IPB04N03LB G
STP12NK80Z
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NDB7050
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FDP10N60NZ
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IRC740PBF
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