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STP12NK80Z

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MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB

STP12NK80Z Technisches Datenblatt

nicht konform

STP12NK80Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.81000 $4.81
50 $3.91760 $195.88
100 $3.59420 $359.42
500 $2.96352 $1481.76
1,000 $2.54310 -
2,500 $2.42991 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 750mOhm @ 5.25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 87 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2620 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 190W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NDB7050
NDB7050
$0 $/Stück
FDP10N60NZ
FDP10N60NZ
$0 $/Stück
IRC740PBF
IRC740PBF
$0 $/Stück
IXFK21N100Q
IXFK21N100Q
$0 $/Stück
IRFR1018EPBF
PSMN005-55P,127
PSMN005-55P,127
$0 $/Stück
IRF7854PBF

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