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FDP2710_F085

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4A, 250V, 0.047OHM, N-CHANNEL ,

nicht konform

FDP2710_F085 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 47mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 101 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5690 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 403W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFS3607PBF
IRLL2703
BMS4003
BMS4003
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BBS3002-DL-1E
BBS3002-DL-1E
$0 $/Stück
IXFH60N20
IXFH60N20
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PMZB150UNE315
PMZB150UNE315
$0 $/Stück
SI7802DN-T1-E3
SI1067X-T1-GE3

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