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BMS4003

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 18A TO220ML

BMS4003 Technisches Datenblatt

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BMS4003 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 680 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220ML
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

BBS3002-DL-1E
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IXFH60N20
IXFH60N20
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PMZB150UNE315
PMZB150UNE315
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SI7802DN-T1-E3
SI1067X-T1-GE3
FQD19N10TF
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$0 $/Stück

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