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AO3419L

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MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3

AO3419L Technisches Datenblatt

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 75mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 6.6 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 620 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.4W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3
Paket / Koffer 3-SMD, SOT-23-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

IRFR2307ZPBF
FDN338P_G
FDN338P_G
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GA05JT12-247
IPB04N03LB G
STP12NK80Z
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NDB7050
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FDP10N60NZ
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IRC740PBF
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