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AOI516_001

AOI516_001

AOI516_001

MOSFET N-CH 30V 18A/46A TO251B

AOI516_001 Technisches Datenblatt

compliant

AOI516_001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Ta), 46A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1229 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251B
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

SI3867DV-T1-GE3
SI6433BDQ-T1-E3
94-3316
94-3316
$0 $/Stück
NVD20N03L27T4G
NVD20N03L27T4G
$0 $/Stück
IRLR2703TRR
XR46000ESE
XR46000ESE
$0 $/Stück
IPSH4N03LA G
FQD7P06TM_NB82050
FQD7P06TM_NB82050
$0 $/Stück
HUFA75545S3S
HUFA75545S3S
$0 $/Stück

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