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AOK9N90

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MOSFET N-CH 900V 9A TO247

AOK9N90 Technisches Datenblatt

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AOK9N90 Preise und Bestellung

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240 $3.28992 $789.5808
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 900 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2560 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 368W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IXFH20N50P3
IXFH20N50P3
$0 $/Stück
STP85NF55
STP85NF55
$0 $/Stück
STB33N60M2
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$0 $/Stück
FQPF5N30
APT34F60S
SI2319DS-T1-BE3
STH270N8F7-6

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