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FQPF5N30

FQPF5N30

FQPF5N30

MOSFET N-CH 300V 3.9A TO220F

FQPF5N30 Technisches Datenblatt

nicht konform

FQPF5N30 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.42000 $0.42
500 $0.4158 $207.9
1000 $0.4116 $411.6
1500 $0.4074 $611.1
2000 $0.4032 $806.4
2500 $0.399 $997.5
1000 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 900mOhm @ 1.95A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 430 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

APT34F60S
SI2319DS-T1-BE3
STH270N8F7-6
STN4NF20L
STN4NF20L
$0 $/Stück
SI1416EDH-T1-GE3
IRFR7446TRPBF
IRFR110TRLPBF-BE3
NVMJS1D0N04CTWG
NVMJS1D0N04CTWG
$0 $/Stück

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