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AON6362

AON6362

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MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN

AON6362 Technisches Datenblatt

compliant

AON6362 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.25560 -
6,000 $0.24140 -
15,000 $0.23430 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Last Time Buy
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 27A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 820 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.2W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerSMD, Flat Leads
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Zugehörige Teilenummer

APT18M100S
IXFB210N20P
IXFB210N20P
$0 $/Stück
IRL630PBF
IRL630PBF
$0 $/Stück
NTD50N03R-35G
NTD50N03R-35G
$0 $/Stück
VP2450N3-G
NVMFS5C468NLWFAFT1G
NVMFS5C468NLWFAFT1G
$0 $/Stück
DMN65D9L-7
STS9NF3LL
STS9NF3LL
$0 $/Stück
FDP7N50
FQPF5N50CYDTU
FQPF5N50CYDTU
$0 $/Stück

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