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AON6560

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MOSFET N-CH 30V 84A/200A 8DFN

AON6560 Technisches Datenblatt

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AON6560 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.98010 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 84A (Ta), 200A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.62mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 325 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11500 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 7.3W (Ta), 208W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerSMD, Flat Leads
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Zugehörige Teilenummer

STD3LN80K5
STD3LN80K5
$0 $/Stück
UF3C120150K4S
UF3C120150K4S
$0 $/Stück
IRLR9343TRPBF
IXFA230N075T2
IXFA230N075T2
$0 $/Stück
DMTH6009LK3Q-13
CSD16406Q3
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$0 $/Stück
DMN3051LDM-7
SFS9Z34

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