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CSD16406Q3

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MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON

CSD16406Q3 Technisches Datenblatt

compliant

CSD16406Q3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.45220 -
7 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 8.1 nC @ 4.5 V
vgs (max) +16V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1100 pF @ 12.5 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.7W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

DMN3051LDM-7
SFS9Z34
IRF644STRLPBF
IXTH96P085T
IXTH96P085T
$0 $/Stück
IRFR110PBF
IRFR110PBF
$0 $/Stück
GC11N65F
GC11N65F
$0 $/Stück
SUM90N03-2M2P-E3

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