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SUM90N03-2M2P-E3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 90A TO263

nicht konform

SUM90N03-2M2P-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.84438 $1475.504
1,600 $1.72141 -
2,400 $1.63534 -
5,600 $1.57386 -
550 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.2mOhm @ 32A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 257 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 12065 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.75W (Ta), 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

HUF75945G3
STWA50N65DM2AG
ATP404-TL-H
ATP404-TL-H
$0 $/Stück
SQD40061EL-T4_GE3
IRF6775MTRPBF
SIHG22N65E-GE3
STN4NF06L
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$0 $/Stück
DMN25D0UFA-7B

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