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AOT11S60L

AOT11S60L

AOT11S60L

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

AOT11S60L Technisches Datenblatt

compliant

AOT11S60L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.18000 $2.18
10 $1.98300 $19.83
100 $1.62500 $162.5
500 $1.30000 $650
1,000 $1.10500 -
3,000 $1.07250 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 399mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 545 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 178W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

RUC002N05T116
FCH47N60-F133
FCH47N60-F133
$0 $/Stück
CSD16322Q5
CSD16322Q5
$0 $/Stück
SQ3425EV-T1_GE3
IRFBC30APBF
IRFBC30APBF
$0 $/Stück
AUIRLZ44ZL
DMN3023L-7
SIHB22N60AEL-GE3

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