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AOTF20C60P

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MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3F

AOTF20C60P Technisches Datenblatt

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AOTF20C60P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 250mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3607 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 50W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NTTFS4943NTWG
NTTFS4943NTWG
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STP13NM50N
STP13NM50N
$0 $/Stück
IRFIZ34E
HUFA75639P3
HUFA75639P3
$0 $/Stück
ZVP0120AS
ZVP0120AS
$0 $/Stück
SFW2955TM
FDD9407-F085
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$0 $/Stück
2SJ656
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