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AOTF2610L

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MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F

AOTF2610L Technisches Datenblatt

compliant

AOTF2610L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.62125 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2007 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

SI4431CDY-T1-GE3
SI4840BDY-T1-GE3
BUK661R9-40C,118
IRF7862TRPBF
IXTT240N15X4HV
IXTT240N15X4HV
$0 $/Stück
IRFP4468PBF
IXTA3N120-TRR
IXTA3N120-TRR
$0 $/Stück

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