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AOTF5N50FD

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MOSFET N-CH 500V 5A TO220-3F

AOTF5N50FD Technisches Datenblatt

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AOTF5N50FD Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $0.65310 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.8Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 530 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS5830NLT1G
NVMFS5830NLT1G
$0 $/Stück
SIHD7N60E-GE3
IRFR420T
IRFZ44RPBF
IRFZ44RPBF
$0 $/Stück
FDMC86102LZ
FDMC86102LZ
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NDT3055
NDT3055
$0 $/Stück
BUK9628-55A,118

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