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AOWF190A60C

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AOWF190A60C

MOSFET N-CH 600V 20A TO262F

AOWF190A60C Technisches Datenblatt

nicht konform

AOWF190A60C Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.62316 $1.62316
500 $1.6069284 $803.4642
1000 $1.5906968 $1590.6968
1500 $1.5744652 $2361.6978
2000 $1.5582336 $3116.4672
2500 $1.542002 $3855.005
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.6V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1935 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 27W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-262F
Paket / Koffer TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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