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BLF6G27S-45,112

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BLF6G27S-45,112

BLF6G27S-45,112

Ampleon USA Inc.

RF FET LDMOS 65V 18DB SOT608B

BLF6G27S-45,112 Technisches Datenblatt

compliant

BLF6G27S-45,112 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
Transistortyp LDMOS
Frequenz 2.7GHz
gewinnen 18dB
Spannungsprüfung 28 V
Nennstrom (Ampere) 20A
Rauschzahl -
aktuell - test 350 mA
Leistung - Leistung 7W
Spannung - Nenn 65 V
Paket / Koffer SOT-608B
Lieferantengerätepaket CDFM2
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Zugehörige Teilenummer

PD84008L-E
STMicroelectronics
PD84008L-E
$0 $/Stück
NE552R679A-T1A-A
CEL
NE552R679A-T1A-A
$0 $/Stück
MRFE6S9201HSR3
NXP USA Inc.
MRFE6S9201HSR3
$0 $/Stück
AFT09S200W02NR3
NXP USA Inc.
AFT09S200W02NR3
$0 $/Stück
J305
onsemi
J305
$0 $/Stück
BLF7G15LS-200,112
Ampleon USA Inc.
BLF7G15LS-200,112
$0 $/Stück
PD55003STR-E
STMicroelectronics
PD55003STR-E
$0 $/Stück
NE5550779A-T1-A
Renesas Electronics America Inc
NE5550779A-T1-A
$0 $/Stück
BF1205C,115
NXP USA Inc.
BF1205C,115
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MRF8S21100HR5
Freescale Semiconductor
MRF8S21100HR5
$0 $/Stück
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