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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Last Time Buy |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 50 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 280mA (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 5V, 10V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 2.5Ohm @ 500mA, 10V |
| vgs(th) (max) @ ID | 2.5V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | - |
| vgs (max) | 20V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 70 pF @ 25 V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 150mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
| Paket / Koffer | SOT-563, SOT-666 |
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