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FCPF190N60E-F152

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FCPF190N60E - POWER MOSFET N-CHA

compliant

FCPF190N60E-F152 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.35199 $1.35199
500 $1.3384701 $669.23505
1000 $1.3249502 $1324.9502
1500 $1.3114303 $1967.14545
2000 $1.2979104 $2595.8208
2500 $1.2843905 $3210.97625
44000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20.6A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3175 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

PC3M0060065L
PC3M0060065L
$0 $/Stück
NTC020N120SC1
NTC020N120SC1
$0 $/Stück
FDS6673BZ-G
FDS6673BZ-G
$0 $/Stück
FDA16N50LDTU
FDA16N50LDTU
$0 $/Stück
DMP3021SFVW-13
IRF841
IRF841
$0 $/Stück
DMT10H009LCG-7

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