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FDB6030BL

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MOSFET N-CH 30V 40A R-6

FDB6030BL Technisches Datenblatt

nicht konform

FDB6030BL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.20000 $3.2
500 $3.168 $1584
1000 $3.136 $3136
1500 $3.104 $4656
2000 $3.072 $6144
2500 $3.04 $7600
82680 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1160 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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