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TK17A80W,S4X

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TK17A80W,S4X

MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS

nicht konform

TK17A80W,S4X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.86000 $3.86
50 $3.10500 $155.25
100 $2.82900 $282.9
500 $2.29080 $1145.4
1,000 $1.93200 -
18 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 290mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 850µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2050 pF @ 300 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 45W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220SIS
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FDZ299P
IRF1324PBF
IPI023NE7N3 G
PSMN5R0-80PS,127
NTHS5402T1
NTHS5402T1
$0 $/Stück
FDT3612
FDT3612
$0 $/Stück

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