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FDB6690S

FDB6690S

FDB6690S

MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB

FDB6690S Technisches Datenblatt

compliant

FDB6690S Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.70000 $0.7
500 $0.693 $346.5
1000 $0.686 $686
1500 $0.679 $1018.5
2000 $0.672 $1344
2500 $0.665 $1662.5
2824 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 42A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 15.5mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1238 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 48W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

AUIRLR3410TR
IXTH460P2
IXTH460P2
$0 $/Stück
FDT86256
FDT86256
$0 $/Stück
SI3139K-TP
PMCM6501VPEZ
IXTT36N50P
IXTT36N50P
$0 $/Stück
STB14NK60ZT4
DMP2008USS-13
MCH3376-TL-E
MCH3376-TL-E
$0 $/Stück
NTP35N15G
NTP35N15G
$0 $/Stück

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