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FDB8160

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MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

FDB8160 Technisches Datenblatt

nicht konform

FDB8160 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.56000 $1.56
500 $1.5444 $772.2
1000 $1.5288 $1528.8
1500 $1.5132 $2269.8
2000 $1.4976 $2995.2
2500 $1.482 $3705
17624 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 243 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11825 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 254W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AB
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NTTFS4941NTWG
NTTFS4941NTWG
$0 $/Stück
IXTA1N100
IXTA1N100
$0 $/Stück
STS10P4LLF6
MCH3484-TL-H
MCH3484-TL-H
$0 $/Stück
IXTH130N15X4
IXTH130N15X4
$0 $/Stück
FDMS8025S
STW12NK90Z
STW12NK90Z
$0 $/Stück

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