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XP231N02013R-G

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MOSFET N-CH 30V 200MA SOT323-3

compliant

XP231N02013R-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.06325 $0.06325
500 $0.0626175 $31.30875
1000 $0.061985 $61.985
1500 $0.0613525 $92.02875
2000 $0.06072 $121.44
2500 $0.0600875 $150.21875
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 5Ohm @ 10mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.18 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6.5 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 350mW (Ta)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323-3A
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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