Welcome to ichome.com!

logo
Heim

FDB8444TS

FDB8444TS

FDB8444TS

MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5

FDB8444TS Technisches Datenblatt

nicht konform

FDB8444TS Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.85000 $0.85
500 $0.8415 $420.75
1000 $0.833 $833
1500 $0.8245 $1236.75
2000 $0.816 $1632
2500 $0.8075 $2018.75
7415 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Ta), 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 338 nC @ 20 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8410 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 181W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263-5
Paket / Koffer TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

FDMS86182
FDMS86182
$0 $/Stück
IXTP52P10P
IXTP52P10P
$0 $/Stück
RQ3E080BNTB
STE48NM50
STE48NM50
$0 $/Stück
SFR9024TF
BSC883N03LSG
SI2325DS-T1-E3
IRFB3206PBF

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.