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FDB8453LZ

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MOSFET N-CH 40V 16.1A/50A TO263

FDB8453LZ Technisches Datenblatt

compliant

FDB8453LZ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
1734 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16.1A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 17.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 66 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3545 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

APT10045JLL
VMO60-05F
VMO60-05F
$0 $/Stück
IRFIBC40GPBF
IRFIBC40GPBF
$0 $/Stück
FDS4410
TN2510N8-G
NTHS4111PT1G
NTHS4111PT1G
$0 $/Stück

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