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TN2510N8-G

TN2510N8-G

TN2510N8-G

MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA

TN2510N8-G Technisches Datenblatt

compliant

TN2510N8-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.78280 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 730mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 3V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.5Ohm @ 750mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 125 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-243AA (SOT-89)
Paket / Koffer TO-243AA
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Zugehörige Teilenummer

NTHS4111PT1G
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CSD15571Q2
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IXTT02N450HV
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STD13NM60N
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IXTP02N120P
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NDTL03N150CG
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