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IXTP02N120P

IXTP02N120P

IXTP02N120P

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB

IXTP02N120P Technisches Datenblatt

compliant

IXTP02N120P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $1.50000 $75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 200mA (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 75Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 104 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NDTL03N150CG
NDTL03N150CG
$0 $/Stück
SISS65DN-T1-GE3
STP4NK60ZFP
NTLUS3A90PZTAG
NTLUS3A90PZTAG
$0 $/Stück
DMN2056U-7
SCT4018KRC15

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