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FDD6035AL

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N-CHANNEL POWER MOSFET

FDD6035AL Technisches Datenblatt

compliant

FDD6035AL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.48000 $0.48
500 $0.4752 $237.6
1000 $0.4704 $470.4
1500 $0.4656 $698.4
2000 $0.4608 $921.6
2500 $0.456 $1140
212926 items
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Ta), 46A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1230 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta), 56W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

FDD4243-F085
FDD4243-F085
$0 $/Stück
DMP4065S-13
STH170N8F7-2
IXFN140N20P
IXFN140N20P
$0 $/Stück
IXFN66N85X
IXFN66N85X
$0 $/Stück
EPC2016C
EPC2016C
$0 $/Stück
IXTT30N60L2
IXTT30N60L2
$0 $/Stück
IXFH30N85X
IXFH30N85X
$0 $/Stück
PHB20N06T,118
PHB20N06T,118
$0 $/Stück

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