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FDD6680

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MOSFET N-CH 30V 12A/46A DPAK

FDD6680 Technisches Datenblatt

compliant

FDD6680 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.41000 $1.41
500 $1.3959 $697.95
1000 $1.3818 $1381.8
1500 $1.3677 $2051.55
2000 $1.3536 $2707.2
2500 $1.3395 $3348.75
199496 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Ta), 46A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1230 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.3W (Ta), 56W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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