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FDD6778A

FDD6778A

FDD6778A

MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK

FDD6778A Technisches Datenblatt

compliant

FDD6778A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.41000 $0.41
500 $0.4059 $202.95
1000 $0.4018 $401.8
1500 $0.3977 $596.55
2000 $0.3936 $787.2
2500 $0.3895 $973.75
128596 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Ta), 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 870 pF @ 13 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 24W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SISA14BDN-T1-GE3
RF6E045AJTCR
FQPF20N06L
FQPF20N06L
$0 $/Stück
IRFB7440GPBF
FDMS037N08B
FDMS037N08B
$0 $/Stück
PMCB60XNZ
PMCB60XNZ
$0 $/Stück
RF1S45N02L
RF1S45N02L
$0 $/Stück
PSMN3R0-30MLC,115
FDMS86105
FDMS86105
$0 $/Stück

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