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FDG311N

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MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88

FDG311N Technisches Datenblatt

nicht konform

FDG311N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.17647 -
6,000 $0.16508 -
15,000 $0.15370 -
30,000 $0.14573 -
101480 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 115mOhm @ 1.9A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 270 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6)
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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