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FDG315N

FDG315N

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2A, 30V, N-CHANNEL, MOSFET

FDG315N Technisches Datenblatt

nicht konform

FDG315N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.24058 -
6,000 $0.22506 -
15,000 $0.20953 -
30,000 $0.19867 -
20245 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 120mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 220 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 750mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6)
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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