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SISA12BDN-T1-GE3

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SISA12BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE

nicht konform

SISA12BDN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.02000 $1.02
500 $1.0098 $504.9
1000 $0.9996 $999.6
1500 $0.9894 $1484.1
2000 $0.9792 $1958.4
2500 $0.969 $2422.5
6050 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 24A (Ta), 87A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1470 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

PMZB950UPEL315
IXFP20N85X
IXFP20N85X
$0 $/Stück
NVTFS6H880NLWFTAG
NVTFS6H880NLWFTAG
$0 $/Stück
STB30NF20L
STB30NF20L
$0 $/Stück
NTMFS5H600NLT3G
NTMFS5H600NLT3G
$0 $/Stück
NVB190N65S3F
NVB190N65S3F
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C3M0060065K
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IXFA20N85XHV-TRL
IXFA20N85XHV-TRL
$0 $/Stück

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