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FDG329N

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MOSFET N-CH 20V 1.5A SC88

FDG329N Technisches Datenblatt

nicht konform

FDG329N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.17000 $0.17
500 $0.1683 $84.15
1000 $0.1666 $166.6
1500 $0.1649 $247.35
2000 $0.1632 $326.4
2500 $0.1615 $403.75
383936 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 90mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.6 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 324 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 420mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6)
Paket / Koffer 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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