Welcome to ichome.com!

logo
Heim

TN0620N3-G

TN0620N3-G

TN0620N3-G

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

TN0620N3-G Technisches Datenblatt

compliant

TN0620N3-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.25000 $1.25
25 $1.04040 $26.01
100 $0.94760 $94.76
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 250mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.6V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 150 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-92-3
Paket / Koffer TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

BUK7E3R1-40E,127
STD8N65M5
STD8N65M5
$0 $/Stück
60N06
60N06
$0 $/Stück
SIHF8N50D-E3
SIHF8N50D-E3
$0 $/Stück
NTTD4401FR2
NTTD4401FR2
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.