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FDMS3602S

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

FDMS3602S Technisches Datenblatt

nicht konform

FDMS3602S Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.46300 -
6,000 $1.40800 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A, 26A
rds ein (max) @ id, vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1680pF @ 13V
Leistung - max. 1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket Power56
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Zugehörige Teilenummer

MVDF2C03HDR2G
MVDF2C03HDR2G
$0 $/Stück
SI7940DP-T1-E3
STS8DNH3LL
STS8DNH3LL
$0 $/Stück
MCH6664-TL-W
MCH6664-TL-W
$0 $/Stück
SI7909DN-T1-GE3
FDS6986AS_SN00192
FDS6986AS_SN00192
$0 $/Stück
SI3529DV-T1-E3
ZXMC4A16DN8TC

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