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FDP10AN06A0

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MOSFET N-CH 60V 12A/75A TO220-3

FDP10AN06A0 Technisches Datenblatt

nicht konform

FDP10AN06A0 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.31000 $1.31
500 $1.2969 $648.45
1000 $1.2838 $1283.8
1500 $1.2707 $1906.05
2000 $1.2576 $2515.2
2500 $1.2445 $3111.25
5110 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Ta), 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 37 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1840 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 135W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

RM40P07
RM40P07
$0 $/Stück
FCU2250N80Z
NDS0610-G
NDS0610-G
$0 $/Stück
DMPH6023SK3-13
GC11N65T
GC11N65T
$0 $/Stück
FDB024N06
FDB024N06
$0 $/Stück

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