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FDS6670S

FDS6670S

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SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

FDS6670S Technisches Datenblatt

nicht konform

FDS6670S Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.88000 $0.88
500 $0.8712 $435.6
1000 $0.8624 $862.4
1500 $0.8536 $1280.4
2000 $0.8448 $1689.6
2500 $0.836 $2090
28785 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2674 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

SI2323DDS-T1-GE3
FDBL86566-F085
FDBL86566-F085
$0 $/Stück
DMG3406L-7
IRFP250PBF
IRFP250PBF
$0 $/Stück
SI5459DU-T1-GE3
NTK3134NT5H
NTK3134NT5H
$0 $/Stück
FQPF5P10

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