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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 8A (Tc) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 2.5V, 4.5V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 52mOhm @ 6.7A, 4.5V |
| vgs(th) (max) @ ID | 1.4V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 26 nC @ 10 V |
| vgs (max) | ±12V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 665 pF @ 10 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.5W (Ta), 10.9W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® ChipFET™ Single |
| Paket / Koffer | PowerPAK® ChipFET™ Single |
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