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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 20 V |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 4A (Ta) |
| Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 2.5V, 8V |
| rds ein (max) @ id, vgs | 49mOhm @ 4A, 8V |
| vgs(th) (max) @ ID | 1.3V @ 250µA |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| vgs (max) | ±12V |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | 679 pF @ 10 V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 610mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montageart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-236AB |
| Paket / Koffer | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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