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RM130N100T2

RM130N100T2

RM130N100T2

Rectron USA

MOSFET N-CH 100V 130A TO220-3

RM130N100T2 Technisches Datenblatt

compliant

RM130N100T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.69000 $0.69
500 $0.6831 $341.55
1000 $0.6762 $676.2
1500 $0.6693 $1003.95
2000 $0.6624 $1324.8
2500 $0.6555 $1638.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 130A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4570 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 120W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

PMV48XPA2R
PMV48XPA2R
$0 $/Stück
BSP324L6327
FQP9N30
FQP9N30
$0 $/Stück
FDG329N
CSD18535KTTT
SIR170DP-T1-RE3
MSC70SM120JCU2
TN0620N3-G
BUK7E3R1-40E,127

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