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FDS6812A

FDS6812A

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N-CHANNEL POWER MOSFET

FDS6812A Technisches Datenblatt

nicht konform

FDS6812A Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.54000 $0.54
500 $0.5346 $267.3
1000 $0.5292 $529.2
1500 $0.5238 $785.7
2000 $0.5184 $1036.8
2500 $0.513 $1282.5
2140 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.7A
rds ein (max) @ id, vgs 22mOhm @ 6.7A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 19nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1082pF @ 10V
Leistung - max. 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

SQJ992EP-T2_GE3
SI4288DY-T1-GE3
NVMFD5C470NLT1G
NVMFD5C470NLT1G
$0 $/Stück
SQS944ENW-T1_GE3
NTLJD2104PTAG
NTLJD2104PTAG
$0 $/Stück
CAB450M12XM3
CAB450M12XM3
$0 $/Stück

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