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FDS6900AS

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SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

FDS6900AS Technisches Datenblatt

nicht konform

FDS6900AS Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.46046 -
5,000 $0.43744 -
12,500 $0.42099 -
569 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.9A, 8.2A
rds ein (max) @ id, vgs 27mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 600pF @ 15V
Leistung - max. 900mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

ECH8655R-TL-H
ECH8655R-TL-H
$0 $/Stück
BUK7K89-100EX
CSD86350Q5D
CSD86350Q5D
$0 $/Stück
FDD3510H
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$0 $/Stück
NX1029X,115
NX1029X,115
$0 $/Stück
DMN2300UFL4-7
SLA5201
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$0 $/Stück

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